У П Р А Ж Н Е Н И Е   9

Проверка на полупроводникови диоди и транзистори

9.1. Основни понятия и определения

Полупроводниковият   диод

  е   кристал   от   полупроводник,   една   част   на   който   е   с 

електронна  (

N

) проводимост, а останалата – с дупчеста (

P

) проводимост. Границата между 

двете области се нарича РN преход (фиг.9.1.а, в която са изобразени само електроните в 

P 

-областта   и   дупките   в  

N 

- 

областта).

Когато   в   кристала   се   създаде 

електрично   поле   с   посока   от  

P 

- 

към 

N 

- областта, електроните от 

N 

-   областта   се   насочват   през 
прехода   към  

P 

-   областта,   а 

дупките от 

P 

- областта – в обратна 

посока (фиг.9.1.б). Срещайки се 

P 

- 

и  

N 

- носителите рекомбинират. В 

образеца протича ток от 

P 

- към 

N 

-областта.   След   рекомбинацията 
токът   не   спира,   защото   от 
отрицателния   електрод   на 
източника в 

N

 - областта постъпват 

нови електрони, а други електрони 
преминават   от  

P

  -   областта  към 

положителния електрод, оставяйки 
свободни дупки.  

РN

  преходът има 

малко съпротивление, а токът през 
него   е   голям.   В   този   случай 
свързването   на   диода   към 
източника   се   нарича   право 
включване.

Когато 

P

  -   областта  е 

свързана   с   отрицателния,   а  

N 

- 

областта   с   положителния   полюс, 
диодът   е   обратно   включен 
(фиг.9.1.в).   свободните   електрони 
и   дупките   се   отдалечават   от 

РN 

прехода – той обеднява на токови носители и съпротивлението му става голямо. През него 
протича незначителен ток (хиляди пъти по-малък от тока в права посока), който се обуславя 
от неосновните токоносители (дупки в 

N 

- областта и свободни електрони в 

P

 -областта).

На фиг.9.2 е изобразен символът на диод и посоката на тока при право включване.

Според   конструкцията   полупроводниковите   диоди   са   точкови   и 

плоскостни; в зависимост от предназначението се класифицират на 
изправителни,   детекторни,   импулсни,   опорни,   параметрични, 
обърнати,   светещи;   според   мощността   са   маломощни, 
средномощни,   мощни;   според   използвания   полупроводников 
материал – силициеви, германиеви, галиевоарсенидни и др.

a

p

n

p

n

б

-

+

U

E

n

в

-

+

U

E

p

Фиг.8.1

анод

катод

P

N

-област

фиг.9.2